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米IBM、マイクロプロセッサを高性能化する高速eDRAM技術を開発 |
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米IBMは2月14日（米国時間）、マイクロプロセッサのパフォーマンスを倍増させる新しいオンチップメモリ技術を開発したと発表した。高速のeDRAM（embedded DRAM）で、同技術を利用したチップを2008年初めに出荷開始する予定。 オンチップのキャッシュメモリにSRAMの代わりにDRAMを使うもので、アクセスを高速化してプロセッサとメモリのギャップを埋める。同社のSilicon-on-Insulator（SOI）技術を利用し、SRAMの3分の1のサイズで、待機時消費電力も5分の1に抑えることができるという。 同社は、新技術が45ナノメートル世代プロセッサの中核技術として、とくにグラフィックス、ゲームなどイメージを多用するマルチメディアアプリケーションに向いているとしている。 米カリフォルニア州で11日から開かれている半導体関連技術の会議「IEEE International Solid State Circuits Conference」（ISSCC）で発表した。 ■ ＵＲＬ 米IBM http://www.ibm.com/ プレスリリース（英文） http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21074.wss
（ Infostand ）
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