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米IBM、韓国Samsungなど5社、32ナノの次世代半導体技術を共同開発 |
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米IBMは5月23日（米国時間）、チップ開発で提携している韓国Samsung Electronicsなど5社で32ナノメートル（nm）プロセス技術を使ったコンピュータ向け次世代半導体製造技術を共同開発すると発表した。2010年の開発完了を目指す。 「Common Platform」として提携しているIBM、Samsung、シンガポールのChartered Semiconductor Manufacturingの3社に、ドイツのInfineon Technologies、米Freescale Semiconductorを加えた計5社が参加。高性能と低消費電力にフォーカスし、モバイル端末からスーパーコンピュータまで、幅広い利用を想定している。 開発作業はIBMのニューヨーク州イーストフィッシュキルの半導体工場にある300mmウエハ製造ラインで行う。プロセス用デザインキット（PDK）も共同開発する。また、RF CMOS、eDRAM（Embedded DRAM）など、派生技術で利用できるプラットフォームも提供する計画。 IBMとSamsungなどは、すでに90nm、65nm、45nmプロセス技術を共同開発した実績があり、今回の32nm技術はこれまでの提携を拡大するものとなる。 ■ ＵＲＬ 米IBM http://www.ibm.com/ プレスリリース（英文） http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21592.wss
（ Infostand ）
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